钨材凭借着自身优异的力学、热学、电学等性能，成为了现代众多工业不可缺少的原料，如大型火箭的喉衬就需要用到钨铜合金，而小型芯片的众多零部件也需要用到钨钼产品，如扩散阻挡层、粘结层、电子封装材料、晶体管等。
芯片是集成电路经过很多道复杂的设计工序之后所生产出来的半导体元件，由大量的晶体管构成，广泛应用于电视机、电脑、音响、电子琴、影碟机、录像机、手机、遥控、照相机、报警器等设备中。
目前半导体主流制程进展到5nm和3nm节点。由于晶片单位面积能容纳的电晶体数目，已接近半导体硅材料的物理极限，所以晶片效能也无法再逐年显著提升。
为了解决这个问题，台积电研究团队向二维材料中掺杂了铋元素（Bi），这样不仅使产品尺寸挑战1纳米以下，还有效解决了二维材料高电阻及低电流的问题。
正常来说，晶体管越多，集成电路的存储数据就越大，处理能力就越强。所以，要想获得更高性能的芯片，半导体材料向1nm以下发起挑战是很有必要。
除了台积电提出来的方法能有效地解决商业化芯片的不足外，美国宾夕法尼亚州立大学的科学家也提出可以用单层的二硫化钼和二硫化钨半导体材料来制作晶体管，其能使所制造的半导体元件的数据处理更快。
钨靶材因有高熔点、强抗高温能力、大电子发射系数、良好化学稳定性和优异散热性能等特点，而成为了芯片内部扩散阻挡层和粘结层的优选材料。此外，集成电路的主流封装材料也大多是使用钨材——钨铜合金。
钨铜合金除了有优良的电化学性能和散热性能外，还有与硅片和砷化镓相匹配的热膨胀系数等特点，所以能使做的电子封装材料的各方面性能更好。
2021年1-3月，我国集成电路的产量约820亿块，同比增长62.1%，而进口集成电路为1552.7亿块，同比增长33.1%。注意，3月份国内集成电路的产能达到了290.9亿块，同比增长了37.4%。由此可知，国内市场集成电路需求强劲，且生产的增长率较大。据预算，我国在2025年或能实现芯片70%的自给率。
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